[发明专利]介质阻挡放电协同N型半导体催化剂深度氧化气态污染物的工艺在审
| 申请号： | 202110151571.5 | 申请日： | 2021-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN112915783A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 吴忠标;陈思;王海强;冯文骥;高珊;王岳军;张仲飞 | 申请（专利权）人： | 浙江大学;浙江天蓝环保技术股份有限公司 |
| 主分类号： | B01D53/86 | 分类号： | B01D53/86;B01D53/56;B01D53/44 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 高佳逸;胡红娟 |
| 地址： | 310013 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种介质阻挡放电协同N型半导体催化剂深度氧化气态污染物的工艺，包括：将含有气态污染物的污染气体通过装有N型半导体催化剂的介质阻挡低温等离子体反应器，N型半导体催化剂置于介质阻挡低温等离子体反应器的放电区域内，低温等离子体放电产生高能电子和活性自由基，等离子体放电过程产生的多余高能电子与N型半导体催化剂中的电子进行碰撞，形成轨道电子的跃迁，产生“类光催化”行为，继而形成电子和空穴并进一步生成其他强氧化性物种，气态污染物在这些活性物种的共同作用下得到深度氧化，生成无害小分子或更有利于后续处理的高价态化合物。 | ||
| 搜索关键词： | 介质 阻挡 放电 协同 半导体 催化剂 深度 氧化 气态 污染物 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学;浙江天蓝环保技术股份有限公司，未经浙江大学;浙江天蓝环保技术股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110151571.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
