[发明专利]一种三维存储器及其制备方法有效
申请号: | 202110152378.3 | 申请日: | 2019-02-01 |
公开(公告)号: | CN112768466B | 公开(公告)日: | 2023-08-08 |
发明(设计)人: | 王启光 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H10B43/35 | 分类号: | H10B43/35;H10B43/40;H10B43/27 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 高洁;张颖玲 |
地址: | 430074 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种三维存储器的制备方法,所述三维存储器包括选择管栅极,所述方法包括以下步骤:提供叠层结构;形成垂直穿过所述叠层结构的沟道结构,所述沟道结构包括存储叠层以及沟道层;去除所述叠层结构中所述选择管栅极的预设形成位置处的第一牺牲层;去除与所述选择管栅极的预设形成位置水平对应的所述存储叠层,在去除的所述存储叠层的位置处形成绝缘的结构;在所述选择管栅极的预设形成位置填充栅极金属,形成所述选择管栅极;基于所述选择管栅极、所述绝缘的结构以及所述沟道层形成所述三维存储器的选择管;其中,所述选择管栅极和所述沟道层之间不包括所述存储叠层的存储层。 | ||
搜索关键词: | 一种 三维 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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