[发明专利]一种GaN基高In组分多量子阱的生长方法在审

专利信息
申请号: 202110152717.8 申请日: 2021-02-04
公开(公告)号: CN112909144A 公开(公告)日: 2021-06-04
发明(设计)人: 张建立;刘庭;王小兰;郑畅达;高江东 申请(专利权)人: 南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
主分类号: H01L33/32 分类号: H01L33/32;H01L33/06;H01L33/00
代理公司: 江西省专利事务所 36100 代理人: 张文
地址: 330031 江西省*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 发明公开了一种GaN基高In组分多量子阱的生长方法,该生长方法是在生长多量子阱垒层的时候,按照量子阱生长先后顺序,从第二个量子阱开始,每个量子阱的生长温度高于其前一个量子阱的生长温度。本发明既使得所有量子阱的发光波长一致,半峰宽变窄,载流子分布更均匀,又提高了多量子阱的晶体质量,解决了多量子阱内In组分不均匀、发光波长不一致的问题,从而有效地减小发光峰半峰宽,提升LED的发光效率。
搜索关键词: 一种 gan in 组分 多量 生长 方法
【主权项】:
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