[发明专利]一种GaN基高In组分多量子阱的生长方法在审
| 申请号： | 202110152717.8 | 申请日： | 2021-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN112909144A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 张建立;刘庭;王小兰;郑畅达;高江东 | 申请（专利权）人： | 南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 张文 |
| 地址： | 330031 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基高In组分多量子阱的生长方法，该生长方法是在生长多量子阱垒层的时候，按照量子阱生长先后顺序，从第二个量子阱开始，每个量子阱的生长温度高于其前一个量子阱的生长温度。本发明既使得所有量子阱的发光波长一致，半峰宽变窄，载流子分布更均匀，又提高了多量子阱的晶体质量，解决了多量子阱内In组分不均匀、发光波长不一致的问题，从而有效地减小发光峰半峰宽，提升LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan in 组分 多量 生长 方法 | ||
【主权项】：
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