[发明专利]具有非对称周期结构的III族氮化物复合衬底及其加工方法有效
申请号: | 202110153096.5 | 申请日: | 2021-02-04 |
公开(公告)号: | CN112992653B | 公开(公告)日: | 2023-05-23 |
发明(设计)人: | 赵见国;杨旻荟;曹锡哲;施江熠;王孟璇;田澄睿;顾浚哲 | 申请(专利权)人: | 南京信息工程大学 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 南京汇盛专利商标事务所(普通合伙) 32238 | 代理人: | 张立荣 |
地址: | 210044 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种具有非对称周期结构的III族氮化物复合衬底及其加工方法,该复合衬底在特定取向的衬底上定义特定的两个方向,沿不同方向制备具有不同周期的图形,用于二次外延非、半极性III族氮化物材料。使用该复合衬底,可解决非、半极性III族氮化物在生长面内与传统常规衬底存在晶格失配各向异性的问题,从而提高非、半极性III族氮化物的外延生长质量,广泛应用于非、半极性III族氮化物光电子和电力电子器件。 | ||
搜索关键词: | 具有 对称 周期 结构 iii 氮化物 复合 衬底 及其 加工 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京信息工程大学,未经南京信息工程大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110153096.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造