[发明专利]包括层叠基板的半导体装置及制造该半导体装置的方法在审
| 申请号： | 202110153230.1 | 申请日： | 2021-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN113725189A | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 金基范;金钟薰 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/538;H01L21/768;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种包括层叠基板的半导体装置及制造该半导体装置的方法。一种半导体装置包括垂直层叠在第一半导体基板上的第二半导体基板。第一半导体基板包括覆盖第一半导体基板主体的第一表面的第一扩散阻挡层、以及具有暴露于第一扩散阻挡层的第二表面的第三表面的第一通孔。第二半导体基板包括第二半导体基板主体、直接接合到第一扩散阻挡层的第二表面的第二扩散阻挡层、以及具有比第一通孔的第三表面更小的表面面积并直接接合至第一通孔的第三表面的前焊盘。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 层叠 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
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