[发明专利]一种新型增强型GaN HEMT器件结构有效
| 申请号： | 202110154220.X | 申请日： | 2021-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN112968059B | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 翁加付;周炳 | 申请（专利权）人： | 宁波海特创电控有限公司;桂林理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L21/335 |
| 代理公司： | 宁波浙成知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33268 | 代理人： | 王方华 |
| 地址： | 315500 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种新型增强型GaN HEMT器件结构，由如下步骤制备而成：外延生长；PN结栅叠层生长；Si基GaN外延晶片清洗；光刻及对准标记形成；台面隔离；刻蚀PN结叠层；源、漏欧姆接触；钝化层沉积；栅槽刻蚀；栅金属沉积；保护层沉积；开孔及金属互联。本发明以p型栅为基础设计了PN结栅型GaN HEMT，通过在p‑GaN上面加了一层n‑GaN，形成PN结，利用PN结在栅加电压时，PN结反向偏置，增大栅极击穿电压Vg，具有大的栅压摆幅，非常适合于功率开关的应用，可以获得更大的栅极驱动偏置以确保安全操作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 增强 gan hemt 器件 结构 | ||
【主权项】：
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