[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202110154347.1 | 申请日： | 2021-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN113224024A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 进藤正典 | 申请（专利权）人： | 拉碧斯半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艳君;王秀辉 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供半导体装置以及半导体装置的制造方法，当在布线上形成包含由铜构成的端子、和由银锡构成的焊料凸块的电极的情况下，能够兼得端子与焊料凸块之间的连接可靠性和导电性。半导体装置包含端子(19)，端子(19)与电路元件电连接，并且端子(19)具备隔着镍层(20)形成由银锡构成的焊料凸块(12)的上表面(S)，并且端子(19)使用铜形成，在半导体装置中，镍层(20)形成于上表面(S)上的部分区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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