[发明专利]二碲化硅二维晶体材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202110156263.1 | 申请日： | 2021-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN114855282A | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 宋志朋;路红亮;林晓;高鸿钧 | 申请（专利权）人： | 中国科学院大学;中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B29/64;C30B25/18 |
| 代理公司： | 北京市正见永申律师事务所 11497 | 代理人： | 黄小临;冯玉清 |
| 地址： | 100049 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
提供了一种二碲化硅二维晶体薄膜材料及其制备方法。根据一实施例，该制备方法包括如下步骤：1)在真空条件下，对硅单晶进行快速加热和快速降温处理，从而得到重整的表面；2)通过蒸发源将高纯度的Te沉积到衬底表面。在沉积过程中，使硅单晶衬底保持在设定的温度，从而使得Te和Si单晶充分反应，形成具有周期性结构的二维晶体薄膜SiTe |
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| 搜索关键词： | 二碲化硅 二维 晶体 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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