[发明专利]一种生长大尺寸钙钛矿单晶的方法在审
| 申请号： | 202110156359.8 | 申请日： | 2021-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN112981538A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 孙文红;王玉坤;李磊 | 申请（专利权）人： | 广西大学 |
| 主分类号： | C30B29/54 | 分类号： | C30B29/54;C30B7/14 |
| 代理公司： | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 | 代理人： | 申星宇 |
| 地址： | 530004 广西壮族*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明属于钙钛矿光电材料技术领域，提供了一种生长大尺寸钙钛矿单晶的方法，包括：配制钙钛矿过饱和溶液；将钙钛矿过饱和溶液进行过滤，并将过滤后的钙钛矿过饱和溶液以预设升温速度升温至最大阈值温度，析出钙钛矿单晶；将析出的钙钛矿单晶颗粒作为籽晶，并置于重新配制的钙钛矿过饱和溶液中培养，生长得到大尺寸钙钛矿单晶。本发明利用钙钛矿饱和溶液逆溶解度特性生长大尺寸钙钛矿单晶，无需复杂的生长设备，生长工艺简单，设备成本低，且生长得到的钙钛矿单晶晶体的尺寸大质量高，有利于促进钙钛矿单晶光电器件的大规模应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 尺寸 钙钛矿单晶 方法 | ||
【主权项】：
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