[发明专利]LDMOS晶体管及相关系统和方法在审
| 申请号： | 202110156670.2 | 申请日： | 2017-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN112993039A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | J·夏;M·A·祖尼加;B·法特米扎德赫;V·帕塔萨拉蒂 | 申请（专利权）人： | 马克西姆综合产品公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应(LDMOS)晶体管包括硅半导体结构；第一栅极结构和第二栅极结构和沟槽电介质层。第一栅极结构和第二栅极结构设置在硅半导体结构上并且在横向方向上彼此分离。沟槽电介质层设置在硅半导体结构中的沟槽中，并且在正交于横向方向的厚度方向上至少部分地在第一栅极结构和第二栅极结构中的每一个下方延伸。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 晶体管 相关 系统 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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