[发明专利]一种脊型波导半导体激光器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202110157669.1 申请日: 2021-02-05
公开(公告)号: CN112821200A 公开(公告)日: 2021-05-18
发明(设计)人: 周坤;杜维川;何林安;李弋;高松信;唐淳 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
主分类号: H01S5/22 分类号: H01S5/22;H01S5/343
代理公司: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 代理人: 李想
地址: 621000 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种脊型波导半导体激光器及其制备方法,属于半导体激光器件的技术领域,该结构的激光器制备在N型衬底层上,由衬底层往上依次为N型下限制层、N型下波导层、量子阱有源层、P型上波导层、P型上限制层、P型接触层、牺牲层;在半导体激光器外延结构表面外延生长一牺牲层,该层材料可通过选择性腐蚀去除,在制备脊型波导时可通过自对准的工艺制备电极窗口,避免了电极窗口光刻时的对准问题,进而可降低工艺难度,提高脊型波导半导体激光器的一致性和可靠性。
搜索关键词: 一种 波导 半导体激光器 及其 制备 方法
【主权项】:
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