[发明专利]GaN器件结构及制备方法有效
| 申请号： | 202110158040.9 | 申请日： | 2021-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN112509996B | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 赵绪然;陈鹏 | 申请（专利权）人： | 浙江工商大学 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/373;H01L29/20;H01L29/772;H01L21/335 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 佟婷婷 |
| 地址： | 310012 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种GaN器件结构及其制备方法，GaN器件制备包括：提供半导体基底，形成石墨烯层，在石墨烯层中形成刻蚀凹槽，在刻蚀凹槽中生长金刚石柱，在石墨烯层上形成上表面高于金刚石柱的GaN功能层，制备势垒层。还可以进一步剥离半导体基底和石墨烯层，将石墨烯层及上方结构转移至一工作衬底上。本发明通过将石墨烯层和金刚石有效的集成在GaN器件当中，解决GaN器件有效散热的问题，减少了材料热阻，提高散热效果，工艺简单，且衬底可回收，降低了成本，基于本发明的方案，可以有效降低器件厚度。 | ||
| 搜索关键词： | gan 器件 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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