[发明专利]半导体晶体管器件以及制造半导体晶体管器件的方法在审
| 申请号： | 202110158123.8 | 申请日： | 2021-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN113257886A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 叶俐君;O·布兰克;H·霍费尔;M·胡茨勒;R·西米尼克 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘书航;周学斌 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 公开了半导体晶体管器件以及制造半导体晶体管器件的方法。本申请涉及一种半导体晶体管器件(1)，其具有：源极区(2)；本体区(3)，其包括在竖向方向(10)上延伸的沟道区(3.1)；漏极区(4)；栅极区(6)，被布置成在横向方向(11)上在沟道区(3.1)旁边；以及由导电材料(9)制成的本体接触区(7)，其中本体接触区(7)形成本体接触区域(8)，本体接触区(7)经由本体接触区域(8)与本体区(3)电接触，并且其中本体接触区域(8)相对于竖向方向(10)和横向方向(11)倾斜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶体管 器件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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