[发明专利]一种钙钛矿发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 202110159174.2 | 申请日： | 2021-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN112968137B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 王坚;李海华;王磊;李妙姿;张斌斌;麦超晃;陈丹 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;C09D125/18;C09D165/00;C09D7/61 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 齐键 |
| 地址： | 511458 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种钙钛矿发光二极管及其制备方法。本发明的钙钛矿发光二极管中的空穴注入层由碳酸铵掺杂的PEDOT:PSS组成。本发明的钙钛矿发光二极管的制备方法包括以下步骤：1)在阳极层上形成由碳酸铵掺杂的PEDOT:PSS组成的空穴注入层；2)在空穴注入层上形成钙钛矿发光层；3)在钙钛矿发光层上依次蒸镀电子传输层、电子注入层和阴极层。本发明采用碳酸铵掺杂的PEDOT:PSS作为空穴注入层，不仅可以增加空穴的注入，有利于器件的载流子平衡，而且碳酸铵可以弱化PEDOT:PSS的酸性，减少空穴注入层对阳极层的腐蚀以及对钙钛矿发光层的发光淬灭，进而可以提高发光器件的发光亮度和电流效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钙钛矿 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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