[发明专利]倍频单片、GaN太赫兹二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202110160011.6 | 申请日： | 2021-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN112993042A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 梁士雄;吕元杰;宋旭波;顾国栋;王元刚;郭红雨;张立森;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/207;H01L23/373;H01L23/367;H01L21/329 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 柳萌 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种倍频单片、GaN太赫兹二极管及其制备方法，属于半导体器件技术领域，GaN太赫兹二极管包括N面上外延生长有氮化铝中间层的外延GaN层、外延生长于氮化铝中间层上的金刚石衬底层、依次外延生长于外延GaN层的Ga面上的高掺杂N型GaN层和低掺杂N型GaN层，以及欧姆接触电极和肖特基接触电极。本发明提供的GaN太赫兹二极管采用金刚石衬底层作为器件衬底结构，能够提高GaN太赫兹二极管的散热性能，降低器件内部结温和内部寄生电容，提升GaN太赫兹二极管的耐功率水平。本发明提供的倍频单片采用了上述GaN太赫兹二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 倍频 单片 gan 赫兹 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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