[发明专利]CIS光电二极管及其制作方法

摘要

本申请书涉及半导体集成电路制造领域，具体涉及一种CIS光电二极管及其制作方法。其中方法包括提供包括有第一导电类型外延层的CIS基底层；在第一导电类型外延层上，淀积形成掩模层；通过光刻刻蚀工艺，使得掩模层定义出光电二极管图案；根据光电二极管图案，刻蚀第一导电类型外延层，形成光电二极管深孔结构；光电二极管深孔结构，由第一导电类型外延层上表面向下延伸；通过掺杂外延工艺，在光电二极管深孔结构的表面，生长形成具有掺杂浓度梯度的光电二极管器件，使得光电二极管器件，填满光电二极管深孔结构。根据上述方法能够制作出本申请的光电二极管，使得本申请可以解决相关技术限制光电二极管感光度的问题。