[发明专利]一种宽频高阻抗高磁导率MnZn软磁铁氧体及其制备方法有效
申请号: | 202110160952.X | 申请日: | 2021-02-05 |
公开(公告)号: | CN112723873B | 公开(公告)日: | 2023-06-02 |
发明(设计)人: | 魏凌霄;邢冰冰;张强原;黄浪;缪思敏 | 申请(专利权)人: | 天通控股股份有限公司 |
主分类号: | H01F1/34 | 分类号: | H01F1/34;H01F41/02;C04B35/26;C04B35/622 |
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地址: | 314412 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明属于磁性材料技术领域,公开了一种宽频高阻抗高磁导率MnZn软磁铁氧体材料及其制备方法。本发明的宽频高阻抗高磁导率MnZn软磁铁氧体材料包含主成分和辅助成分,所述主成分包括Fe2O3:52.5mol%~53.9mol%,ZnO:21.3mol%~23.3mol%,其余为Mn3O4,按主成分总重量计,所述辅助成分包括:纳米CaCO3:400ppm~1000ppm、纳米Bi2O3:100ppm~600ppm、纳米Nb2O5:100ppm~350ppm、纳米SiO2:20ppm~150ppm、纳米MoO3:100ppm~500ppm。本发明的MnZn铁氧体材料,通过合适的主成分与纳米掺杂,采用珠磨机研磨和富氧烧结的工艺。本发明的锰锌铁氧体材料具有宽频、高磁导率、高阻抗等特性,使其综合磁性能更优,更好的服务于抗EMI组件。 | ||
搜索关键词: | 一种 宽频 阻抗 磁导率 mnzn 磁铁 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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