[发明专利]一种基于隧穿式磁电阻阵列的差动式MEMS加速度计在审
| 申请号： | 202110162154.0 | 申请日： | 2021-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN112858720A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 梁金星;唐琦 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G01P15/12 | 分类号： | G01P15/12 |
| 代理公司： | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人： | 周蔚然 |
| 地址： | 210096 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于隧穿式磁电阻阵列的差动式MEMS加速度计，包括下层的磁场发生与检测部分、上层的磁场调制部分以及两部分所在的安装框架，所述磁场发生与检测部分包括励磁线圈、隧穿式磁电阻和磁场聚集器，能够产生恒强磁场并检测该磁场受调制器影响的变化；所述上层的磁场调制部分主体为质量‑挠性结构，质量块下表面设置磁场调节器，能够调制磁场。另外，本发明的加速度计还有差动检测结构，能够提高灵敏度、降低温度噪声。本发明是一种加速度‑磁场强度‑电阻的信号转化方式，充分利用隧穿式磁电阻的高变化率特性提高加速度检测效率，同时在工艺上采用集成方法，在精度、体积方面具有不可比拟的优点，可广泛应用于高精度惯性导航和军工领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 隧穿式 磁电 阵列 差动 mems 加速度计 | ||
【主权项】：
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