[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202110162589.5 | 申请日： | 2021-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN113257801A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 后藤亮;大月高实;清水康贵;富冈真吾 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H02M1/34;G01R31/12 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明的目的在于提供能够在设置了缓冲电路后确认缓冲电路的耐压的半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明涉及的半导体装置具有：绝缘基板(1)；电路图案(6、7、8)，其设置于绝缘基板(1)之上；缓冲电路用基板(14)，其在绝缘基板(1)之上与电路图案(6、7、8)分离地设置；电阻(15)，其设置于电路图案(6、7、8)及缓冲电路用基板(14)中的一者；电容器(16)，其设置于电路图案(6、7、8)及缓冲电路用基板(14)中的另一者；以及半导体元件(9)，其与电阻(15)及电容器(16)电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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