[发明专利]记忆体位元单元、记忆体装置及其操作方法在审
| 申请号： | 202110162675.6 | 申请日： | 2021-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN113257315A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 张盟昇;杨耀仁;吴旻信 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/24;G11C16/26;G11C17/16 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种记忆体位元单元、记忆体装置及其操作方法，记忆体位元单元包含第一记忆体单元，其是包括第一反熔丝晶体管及第一选择晶体管，第一反熔丝晶体管是对应第一信号而选择为第一状态或第二状态，且第一选择晶体管是配置以对应第二信号而提供第一反熔丝晶体管的存取；第二记忆体单元，其是包括第二反熔丝晶体管及第二选择晶体管，第二反熔丝晶体管是对应第一信号而选择为第一状态或第二状态，且第二选择晶体管是配置以对应第二信号而提供第二反熔丝晶体管的存取；第一字元线，以选择性地提供第一信号；第二字元线，以选择性地提供第二信号；及位元线，以感测第一状态或第二状态。 | ||
| 搜索关键词： | 记忆体 位元 单元 装置 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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