[发明专利]高压半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110162766.X | 申请日： | 2016-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN113013227A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | K·马托查;K·查蒂;S·班纳吉 | 申请（专利权）人： | 莫诺利斯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/265;H01L21/28;H01L21/82;H01L21/8234;H01L27/06;H01L27/07;H01L29/10;H01L29/16;H01L29/78;H01L21/336;H01L29/872 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 黄晓升 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了多单元MOSFET器件，其包括具有集成的肖特基二极管的MOSFET单元。MOSFET包括在p‑型阱区域中形成的n‑型源极区域，p‑型阱区域在n‑型漂移层中形成。在MOSFET的外围形成p‑型体接触区域。器件的源极金属化形成与n‑型半导体区域接触的肖特基接触，n‑型半导体区域与器件的p‑型体接触区域相邻。可以形成通过覆盖器件的源极欧姆接触和/或肖特基区域的电介质材料的通孔，并且在通孔中可以形成源极金属化。形成肖特基接触和/或n‑型源极区域的n‑型半导体区域可以是单个连续的区域或与不连续的p‑型体接触区域交替的多个不连续的区域。器件可以是SiC器件。还提供了制造该器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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