[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202110162996.6 | 申请日： | 2021-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN113314420A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 江子昂;连建洲;陈玠玮;王伯原;林群能;叶明熙 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423;H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置的制造方法包括形成栅极沟槽于半导体鳍状物上。栅极沟槽包括多个第一栅极间隔物所围绕的上侧部分，与多个第二栅极间隔物及第一栅极间隔物所围绕的下侧部分。方法包括形成金属栅极于栅极沟槽的下侧部分中。金属栅极位于栅极介电层的第一部分上。方法包括沉积金属材料于栅极沟槽中，以形成栅极于栅极沟槽的下侧部分中的金属栅极上，且栅极介电层的第二部分维持覆盖第一栅极间隔物的侧壁与第二栅极间隔物的上表面。方法包括移除栅极介电层的第二部分，而栅极维持实质上完整。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
