[发明专利]在层面结构间包含层面间区域的微电子装置及相关方法

摘要

本申请案涉及在层面结构之间包含层面间区域的微电子装置、及相关方法。一种形成微电子装置的方法包括：在层面间区域及第一层面结构中形成开口，所述第一层面结构包括第一绝缘材料与第二绝缘材料的交替层阶；在所述开口中形成第一牺牲材料；从所述层面间区域移除所述第一牺牲材料的一部分以暴露所述层面间区域中的所述第一绝缘材料及所述第二绝缘材料的侧壁；移除所述层面间区域中的所述第一绝缘材料及所述第二绝缘材料的一部分以在所述层面间区域中形成锥形侧壁；从所述开口移除所述第一牺牲材料的剩余部分；及在所述开口中形成至少一第二牺牲材料。揭示形成微电子装置的相关方法及相关微电子装置。