[发明专利]一种大功率紫外LED的外延生长方法有效
| 申请号： | 202110163226.3 | 申请日： | 2021-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN112909134B | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 王晓波 | 申请（专利权）人： | 西安瑞芯光通信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/04;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京盛凡佳华专利代理事务所(普通合伙) 11947 | 代理人： | 孙瑞峰 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开的属于半导体电子信息技术领域，具体为一种大功率紫外LED的外延生长方法，采用蓝宝石作为生长基底，进行异质外延生长，运用MOCVD技术来完成整个外延过程，在蓝宝石上生长一层低温AlN层，继续生长一层高温AlN层，接着生长一层低温BAlN，再生长一层高温BAlN层，然后再生长几个周期BAlN/BAlGaN超晶格结构，继续生长一层n型掺杂的AlGaN,接着生长一层AlGaN/BAlN量子阱结构有源区,接着生长一层p型BAlGaN层，再生长一层p型BAlN层，继续生长一层超薄的p型BN,生长一层p型BAlN层，继续生长一层超薄的p型BN，有效提高了发光效率、降低了制备成本和难度，提高了成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 紫外 led 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
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