[发明专利]相移反位膜掩模基版的制作方法在审
| 申请号： | 202110163809.6 | 申请日： | 2021-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN112981316A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 车翰宣 | 申请（专利权）人： | 上海传芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/04 | 分类号： | C23C14/04;C23C14/06;C23C14/34;G03F1/26 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种相移反位膜掩模基版的制作方法，制作方法包括步骤：提供透明基板；在透明基板上沉积相移反位膜；在相移反位膜上沉积遮光膜；在遮光膜上沉积防反射膜；相移反位膜、遮光膜及防反射膜通过溅射沉积工艺沉积，溅射沉积工艺以氩气和氦气共同对靶材进行轰击，以实现相移反位膜、遮光膜及防反射膜的沉积。本发明可以精细地控制钼硅及铬沉积量及控制靶材溅射出来的颗粒数，从而大大提高相移反位膜、遮光膜及防反射膜的厚度均匀度，同时能调节相移反位膜的透过率及产生180度相移变化。 | ||
| 搜索关键词： | 相移 反位膜掩模基版 制作方法 | ||
【主权项】：
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