[发明专利]发光二极管的外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 202110164464.6 | 申请日： | 2021-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN112802929A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 丁涛;龚程成;尹涌;梅劲 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该制备方法包括：提供一衬底；在衬底上依次外延生长高温AlN缓冲层、过渡层、n型AlGaN层、多量子阱层和p型层，过渡层为周期性结构，周期性结构包括交替层叠的AlN层和AlGaN层，沿外延片生长的方向，各个AlGaN层的生长压力逐渐降低。过渡层中的AlN层能够促使高温AlN缓冲层延伸上来的位错缺陷弯曲，增加位错相互湮灭几率，从而达到减少位错缺陷的目的，先生长的AlGaN层的生长压力较高，促使AlGaN层的三维岛状生长，后生长的AlGaN层的生长压力较低，使AlGaN层逐渐从三维生长过渡到二维生长，减小位错密度，提高晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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