[发明专利]InGaN基红光LED芯片结构在审
| 申请号： | 202110164568.7 | 申请日： | 2021-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN112786747A | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 庄文荣;卢敬权;钟宇宏;孙明 | 申请（专利权）人： | 东莞市中晶半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/06;H01L33/10;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 523000 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种InGaN基红光LED芯片结构，包括：n型GaN层；发光层，位于n型GaN层上；红光量子点层，位于发光层上，用于将发光层发出的光通过光致发光的方式转换成红光；p型GaN层，位于红光量子点层上；第一分布布拉格反射镜，位于n型GaN层的下方；第二分布布拉格反射镜，位于p型GaN层的上方；第一分布布拉格反射镜用于反射蓝光或同时反射蓝光及红光中的一种，第二分布布拉格反射镜用于反射蓝光或同时反射蓝光及红光中的另一种。本发明通过光致发光方法，获得InGaN基红光LED芯片，解决现有通过电致发光方法难以获得InGaN基红光LED芯片的问题。 | ||
| 搜索关键词： | ingan 红光 led 芯片 结构 | ||
【主权项】：
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