[发明专利]一种高抗短路能力的沟槽栅IGBT有效
| 申请号： | 202110167453.3 | 申请日： | 2021-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN112750902B | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 张伟;王修中;许冬梅;雷正龙;宋吉昌;李环伟 | 申请（专利权）人： | 深圳吉华微特电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423 |
| 代理公司： | 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 | 代理人： | 冯建华;刘曰莹 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明公开一种高抗短路能力的沟槽栅IGBT，从上到下依次为：发射极、介质层、N |
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| 搜索关键词： | 一种 短路 能力 沟槽 igbt | ||
【主权项】：
暂无信息
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