[发明专利]MIM电容器及其形成方法在审
| 申请号： | 202110168187.6 | 申请日： | 2021-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN113889573A | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 林杏莲;李正德;朱瑞霖;吴启明;杜友伦;喻中一 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本申请的各个实施例涉及金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器。该MIM电容器包括布置在半导体衬底上方的底部电极。顶部电极布置在底部电极上方并位于该底部电极上面。电容器绝缘体结构布置在底部电极与顶部电极之间。该电容器绝缘体结构包括彼此垂直堆叠的至少三个介电结构。就所述介电结构的介电材料而言，该电容器绝缘体结构的下半部是其上半部的镜像。本申请的实施例还涉及用于形成金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器的方法。 | ||
| 搜索关键词： | mim 电容器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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