[发明专利]一种Si-GeSn-Si异质GeSn基固态等离子体PiN二极管及制备方法在审
| 申请号： | 202110168694.X | 申请日： | 2021-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN112993043A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 苏汉;罗卫兵 | 申请（专利权）人： | 中国人民武装警察部队工程大学 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 | 代理人： | 姬莉 |
| 地址： | 710086 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Si‑GeSn‑Si异质GeSn基固态等离子体PiN二极管及制备方法，该制备方法包括选取GeOI衬底，并在GeOI衬底内掺杂形成顶层GeSn区；在衬底顶层GeSn区内设置深槽隔离区；刻蚀GeSn区形成P型沟槽和N型沟槽，P型沟槽和N型沟槽的深度小于顶层GeSn区的厚度；在P型沟槽和N型沟槽内采用离子注入形成P型有源区和N型有源区；在衬底上形成GeSn合金引线。本发明通过引入顶层GeSn区动态控制顶层Ge中Sn组分的含量使得本征区禁带宽度降低。Si‑GeSn‑Si异质结构的存在使得禁带宽度差可达到0.7eV，改善了载流子注入比，提升了固态等离子体浓度和分布均匀性。通过采用RPCVD的技术形成GeSn合金引线，取代传统二极管中的金属电极，极大的提高了天线系统集成度和隐身性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 si gesn 异质 固态 等离子体 pin 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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