[发明专利]硅基CdTe-GeSn-CdTe异质横向PiN二极管的制备方法及其器件在审
| 申请号： | 202110168695.4 | 申请日： | 2021-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN112993044A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 苏汉;王华剑 | 申请（专利权）人： | 中国人民武装警察部队工程大学 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 | 代理人： | 姬莉 |
| 地址： | 710086 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅基CdTe‑GeSn‑CdTe异质横向PiN二极管的制备方法及其器件，制备方法包括：选取GeOI衬底并在GeOI衬底内掺杂形成顶层GeSn区；在衬底顶层GeSn区内设置深槽隔离区；刻蚀GeSn区，形成深度小于顶层GeSn区厚度的P型沟槽和N型沟槽；在P型沟槽和N型沟槽内采用离子注入形成P型有源区和N型有源区；在衬底上形成GeSn合金引线，以完成硅基CdTe‑GeSn‑CdTe异质横向PiN二极管的制备。本发明二极管通过顶层GeSn区的引入极大的提高了载流子迁移率以及分布均匀性，同时极大的提高了载流子输运特性，显著的改善了固态等离子体PiN二极管微波特性。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基 cdte gesn 横向 pin 二极管 制备 方法 及其 器件 | ||
【主权项】：
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