[发明专利]一种SiGe-GeSn-SiGe结构的深槽保护PiN二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202110168699.2 | 申请日： | 2021-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN112993046A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 苏汉;张金利 | 申请（专利权）人： | 中国人民武装警察部队工程大学 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/06;H01L21/336;H01L23/58;H01L29/49 |
| 代理公司： | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 | 代理人： | 徐云侠 |
| 地址： | 710086 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种SiGe‑GeSn‑SiGe结构的深槽保护PiN二极管及其制备方法，包括步骤：选取GeOI衬底，并在GeOI衬底内掺杂形成顶层GeSn区；刻蚀衬底顶层GeSn区形成有源区深槽；有源区四周平坦化处理并利用原位掺杂形成P区和N区；在所述衬底上形成GeSn合金引线，以完成所述制备；本发明通过深槽结构的引入，极大的改善了固态等离子体PiN二极管的微波特性；SiGe半导体材料中引入Ge使基区能带变窄，大大提高了载流子的注入效率，本征GeSn区通过动态控制顶层Ge中Sn组分的含量使得本征区禁带宽度进一步降低，SiGe‑GeSn‑SiGe异质结构的引入极大提高了载流子注入效率和迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sige gesn 结构 保护 pin 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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