[发明专利]一种AlAs-GeSn-AlAs结构的高注入比异质PiN二极管的制备方法及其器件在审
| 申请号： | 202110168705.4 | 申请日： | 2021-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN112992676A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 苏汉 | 申请（专利权）人： | 中国人民武装警察部队工程大学 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/868;H01L29/06;H01L23/49 |
| 代理公司： | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 | 代理人： | 王力文 |
| 地址： | 710086 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体材料以及器件制造技术领域，公开了一种AlAs‑GeSn‑AlAs结构的高注入比异质PiN二极管的制备方法及其器件，制备方法包括：选取某一晶向的GeOI衬底，并在GeOI衬底内掺杂形成顶层GeSn区；在衬底顶层GeSn区内设置深槽隔离区；刻蚀GeSn区形成P型沟槽和N型沟槽；在P型沟槽和N型沟槽内采用离子注入形成P型有源区和N型有源区；利用多晶AlAs填充所述P型沟槽和所述N型沟槽，在衬底上形成GeSn合金引线，这种制备方法及其器件，使得载流子迁移率性能得到提升，能够极大的提升本征区内部固态等离子体微波特性，从而使得硅基固态等离子体可重构天线的辐射效率得到很大程度的提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 alas gesn 结构 注入 pin 二极管 制备 方法 及其 器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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