[发明专利]一种基于掺钛氧化铌的1S1R器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202110170101.3 | 申请日： | 2021-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN113066927B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 王浩;余志颖;季杰;檀秋阳;潘希彦;马国坤;饶毅恒;万厚钊;桃李;彭小牛;段金霞;汪汉斌;汪宝元 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20;H10B63/00 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 张文俊 |
| 地址： | 430062 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于掺钛氧化铌的1S1R器件及其制备方法，该器件包括：底电极；转换层；阻变层；顶电极；转换层为钛掺杂的氧化铌。本申请的器件，转换层为钛掺杂的氧化铌，基于该材料制得的选通管有操作电压十分稳定、抗高脉冲电流等优点；阻变层采用氮化硅薄膜，由于氮化物的存在使得氧空位移动受到限制，使得氧空位更为可控。本申请采用掺钛氧化铌作为选通管功能层和氮化硅薄膜作为阻变层，使制得的1S1R器件具有稳定的SET电压、RESET电压、负极性阈值电压和正极性保持电压等相关操作电压，明显的存储窗口和选通比(非线性值)，在直流耐受性测试中表现出较强的稳定性，因此能够有效地减小漏电流，有一定的抗串扰能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氧化 s1r 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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