[发明专利]一种三栅SiC JFET横向器件在审
| 申请号： | 202110171334.5 | 申请日： | 2021-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN113161425A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 施广彦;秋琪;李昀佶 | 申请（专利权）人： | 泰科天润半导体科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808;H01L29/423;H01L29/16 |
| 代理公司： | 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 林燕 |
| 地址： | 100000 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种三栅SiC JFET横向器件，包括纵向自下而上的体电极、外延层、沟道区、源极、漏极、两个第一侧栅和顶栅；每个所述第一侧栅顶部与顶栅相连，两个第一侧栅和顶栅形成倒U型栅金属结构，每个所述第一侧栅底部与外延层连接，并在顶栅处形成栅电极；所述顶栅和第一侧栅均与沟道区直接接触形成pn结；所述源极以及漏极均连接至所述外延层，且均与所述沟道区连接；在较低栅压情况下有足够低的比接触电阻，在低工作频率应用情况下，可以大幅降低驱动功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic jfet 横向 器件 | ||
【主权项】：
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