[发明专利]氮化镓基功率器件外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202110171622.0 | 申请日： | 2021-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN112993012A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 梁玉玉;蔡文必;何俊蕾;刘成;叶念慈 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/423;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京超成律师事务所 11646 | 代理人： | 张江陵 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请提供一种氮化镓基功率器件外延结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：在外延结构的P型盖帽层上沉积掩膜层，外延结构包括栅极区域和非栅极区域，P型盖帽层覆盖栅极区域和非栅极区域的第一铝镓氮层；刻蚀掩膜层，以将非栅极区域的P型盖帽层露出；刻蚀露出的P型盖帽层，以露出非栅极区域的第一铝镓氮层；在露出的第一铝镓氮层上外延生长第二铝镓氮层，第二铝镓氮层的铝离子浓度大于第一铝镓氮层的铝离子浓度，第二铝镓氮层的厚度小于P型盖帽层的厚度。该氮化镓基功率器件外延结构的制备方法能够实现势垒层栅极区域铝组分低、非栅极区域铝组分高，进而提升器件阈值电压及栅极可靠性，并降低导通电阻，提升器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 功率 器件 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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