[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
申请号: | 202110172261.1 | 申请日: | 2021-02-08 |
公开(公告)号: | CN113054027A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 卡迪尔巴德·姆鲁尼尔·阿必吉斯;马哈维;林耕竹;沈泽民 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/26;H01L21/336;H01L21/34;H01L27/092;H01L21/8238 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 提供了半导体器件及其形成方法。根据本发明的半导体器件包括:沟道构件,包括第一沟道层和第一沟道层上方的第二沟道层;以及栅极结构,在沟道构件上方。该第一沟道层包括硅、锗、III‑V族半导体或II‑VI族半导体,并且第二沟道层包括二维材料。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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