[发明专利]可剥离氮化物结构及其剥离方法有效
| 申请号： | 202110172322.4 | 申请日： | 2021-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN112993103B | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 张康;何晨光;贺龙飞;吴华龙;赵维;刘云洲;陈志涛 | 申请（专利权）人： | 广东省科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/32;H01L33/00;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400 | 代理人： | 李彬彬;张函 |
| 地址： | 510651 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种可剥离氮化物结构，包括待剥离的支撑层以及在所述支撑层上依次形成的腐蚀牺牲层、腐蚀阻挡层和半导体器件本体，其中，所述支撑层为形成有微纳米柱阵列的衬底，或者所述支撑层包括衬底以及生长于所述衬底之上的氮化物模板层，所述氮化物模板层包含第一氮化物的微纳米柱阵列；所述腐蚀牺牲层为生长于微纳米柱阵列之上的连续的层结构，且包含掺杂的第二氮化物，所述腐蚀阻挡层包含掺杂的第三氮化物或非掺杂的第四氮化物，且掺杂的第三氮化物中的载流子浓度小于掺杂的第二氮化物中的载流子浓度。本申请的可剥离氮化物结构可以通过电化学湿法腐蚀的方式实现半导体器件本体与支撑层的剥离，从而避免了激光剥离技术所存在的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 剥离 氮化物 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东省科学院半导体研究所，未经广东省科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110172322.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
