[发明专利]形成半导体结构的方法以及形成接合半导体晶片的方法在审
| 申请号： | 202110172516.4 | 申请日： | 2021-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN113471082A | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 谢丰键;陈信吉;李国政;郑穆韩;郑允玮 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种形成半导体结构的方法以及形成接合半导体晶片的方法，可通过执行第一预接合边缘修剪制程来对第一晶圆的前侧周围区域进行边缘修剪。提供要与第一晶圆接合的第二晶圆。可选地，可通过执行第二预接合边缘修剪制程来对第二晶圆的前侧周围区域进行边缘修剪。第一晶圆的前表面接合至第二晶圆的前表面以形成接合组件。通过执行至少一个晶圆减薄制程来减薄第一晶圆的背侧。可通过执行接合后边缘修剪制程，来对第一晶圆及第二晶圆的前侧周围区域进行边缘修剪。接合组件可随后被切块成接合的半导体晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体 结构 方法 以及 接合 晶片 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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