[发明专利]光电探测器、制备方法及光电器件

摘要

本发明公开了一种光电探测器、制备方法及光电器件，光电探测器包括：衬底、设置在所述衬底上的绝缘层，以及设置在所述绝缘层上的氮化硅波导；所述光电探测器还包括电介质层和二维过渡金属硫化物层，所述电介质层覆盖在所述氮化硅波导和露出的绝缘层上，所述二维过渡金属硫化物层覆盖在所述电介质层上；所述露出的绝缘层指所述绝缘层表面未被所述氮化硅波导覆盖的部分。本发明利用氮化硅波导和二维过渡金属硫化物异质结构所产生的光电导效应，不仅能够实现探测波长可调，还能实现大带宽、高响应度、快响应速度和低功耗，并易于与硅光电子学平台和CMOS集成工艺兼容。