[发明专利]一种具有多阶场板的横向双扩散晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 202110173502.4 | 申请日： | 2021-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN112786685B | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 连延杰 | 申请（专利权）人： | 成都芯源系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成都市成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 公开了一种制作LDMOS的方法，包括：在半导体衬底上同时形成第一栅氧化区和第二栅氧化区；在第二栅氧化区的上方形成栅极区；在第二栅氧化区远离第一栅氧化区的一侧的半导体衬底中形成体区；在第一栅氧化区远离第二栅氧化区的一侧的半导体衬底中形成漏区，在体区中形成源区；在第一栅氧化区的上方以及第一栅氧化区和第二栅氧化区之间的半导体衬底上形成场板氧化区；在场板氧化区上形成场板阻挡区；形成介质区；以及在第一栅氧化区上的介质区中形成第一场板，在第一栅氧化区和第二栅氧化区之间的介质区中形成第二场板。所述方法优化了LDMOS场板下氧化层的厚度分布，同时也不需要增加额外的工艺步骤，提高了横向双扩散晶体管的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 多阶场板 横向 扩散 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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