[发明专利]SiGe-GeSn-SiGe异质结构高注入比PiN二极管阵列的制备方法及其器件在审
| 申请号： | 202110175057.5 | 申请日： | 2021-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN113013258A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 苏汉;周阳 | 申请（专利权）人： | 中国人民武装警察部队工程大学 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/06;H01L21/329;H01L23/66 |
| 代理公司： | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 | 代理人： | 徐云侠 |
| 地址： | 710086 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种SiGe‑GeSn‑SiGe异质结构高注入比PiN二极管阵列的制备方法及其器件，包括：选取某一晶向的GeOI衬底，并在GeOI衬底内掺杂形成顶层GeSn区；在衬底顶层GeSn区内设置深槽隔离区；刻蚀GeSn区形成P型沟槽和N型沟槽；在P型沟槽和N型沟槽内采用离子注入形成P型有源区和N型有源区；在衬底上形成GeSn合金引线并将二极管进行相互串联；本发明通过动态控制顶层Ge中Sn组分的含量以及GeSn合金引线的引入等技术能够制备并提供适用于形成硅基可重构对称偶极子天线的具有SiGe‑GeSn‑SiGe异质结构的高注入比PiN二极管阵列。 | ||
| 搜索关键词： | sige gesn 结构 注入 pin 二极管 阵列 制备 方法 及其 器件 | ||
【主权项】：
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