[发明专利]光蚀刻系统在审
| 申请号： | 202110176336.3 | 申请日： | 2021-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN113267962A | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 陈思妤;陈鑫封;杨基;陈立锐 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种光蚀刻系统，用于控制极紫外光微影光源中的电浆位置，此系统可包括真空腔室；液滴产生器，用以将液滴流分配至真空腔室中，其中液滴是由金属材料形成；激光光源，用以将包括至少第一脉冲及第二脉冲的多个激光脉冲发射至真空腔室中；感测器，用以侦测腔室内的已观察到的电浆位置，其中已观察到的电浆位置包括多个激光脉冲将液滴流的液滴汽化以产生发出极紫外光辐射的电浆的位置；及第一反馈回路，将感测器连接至激光光源，其中第一反馈回路调整第一及第二脉冲之间的时间延迟以最小化已观察到的电浆位置与目标电浆位置之间的差。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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