[发明专利]具有台面结构的异质GeSn基固态等离子体PiN二极管及制备方法在审
| 申请号： | 202110176577.8 | 申请日： | 2021-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN112993052A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 苏汉 | 申请（专利权）人： | 中国人民武装警察部队工程大学 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L21/329 |
| 代理公司： | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 | 代理人： | 姬莉 |
| 地址： | 710086 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有台面结构的异质GeSn基固态等离子体PiN二极管及制备方法。该二极管及其制备方法包括选取GeOI衬底，并在GeOI衬底内掺杂形成顶层GeSn区；形成台面的有源区；利用原位掺杂形成P区和N区；以及在所述衬底上形成GeSn合金引线，以完成所述具有台面结构的异质GeSn基固态等离子体PiN二极管的制备。本发明台面结构的引入将二极管有源区P区和N区做到了本征区底部，极大的缩减了载流子纵向扩散的距离，减弱了载流子在本征区内部的衰减，可极大的提高固态等离子体PiN二极管内部载流子浓度和分布均匀性，同时顶层GeSn区的引入使得本征区内部载流子的输运机制改善，通过动态控制顶层Ge中Sn组分的含量使得本征区禁带宽度可调。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 台面 结构 gesn 固态 等离子体 pin 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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