[发明专利]具有台面结构的异质GeSn基固态等离子体PiN二极管阵列的制备方法及其器件在审
| 申请号： | 202110177020.6 | 申请日： | 2021-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN113299765A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 苏汉 | 申请（专利权）人： | 中国人民武装警察部队工程大学 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868 |
| 代理公司： | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 | 代理人： | 王力文 |
| 地址： | 710086 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体器件制造技术领域，公开了具有台面结构的异质GeSn基固态等离子体PiN二极管阵列的制备方法及其器件，具有台面结构的异质GeSn基固态等离子体PiN二极管阵列的制备方法包括以下步骤：选取半导体GeOI衬底，并在GeOI衬底内掺杂形成顶层GeSn区；在GeSn区表面，形成台面的有源区；在台面的有源区，利用原位掺杂形成P区和N区；在所述衬底上形成GeSn合金引线并进行连接，形成具有台面结构的异质GeSn基固态等离子体PiN二极管阵列，这种具有台面结构的异质GeSn基固态等离子体PiN二极管阵列的制备方法及其器件，实现天线性能的动态重构，极大地提高了硅基天线系统集成度和隐身性能。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 台面 结构 gesn 固态 等离子体 pin 二极管 阵列 制备 方法 及其 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国人民武装警察部队工程大学，未经中国人民武装警察部队工程大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110177020.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
