[发明专利]一种硅基横向PiN二极管的制备方法、器件及高集成隐身天线在审
| 申请号： | 202110177183.4 | 申请日： | 2021-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN112993053A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 苏汉;蔡艳军 | 申请（专利权）人： | 中国人民武装警察部队工程大学 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L21/329;H01L23/66;H01Q1/36;H01Q23/00 |
| 代理公司： | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 | 代理人： | 姬莉 |
| 地址： | 710086 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅基横向Pi N二极管的制备方法、器件及高集成隐身天线，制备方法包括：选取GeOI衬底，并在GeOI衬底内掺杂形成顶层GeSn区；在衬底顶层GeSn区内设置深槽隔离区；刻蚀GeSn区形成P型沟槽和N型沟槽，P型沟槽和N型沟槽的深度小于顶层GeSn区的厚度；在P型沟槽和N型沟槽内生成多晶GaAs层，采用离子注入形成P型有源区和N型有源区；在衬底上形成GeSn合金引线，完成具有GaAs‑GeSn‑GaAs异质结构的硅基横向P i N二极管的制备。本发明通过动态控制顶层Ge中Sn的含量及引入GeSn合金引线能制备具有GaAs‑GeSn‑GaAs异质结构的硅基横向Pi N二极管，以便制作高集成隐身天线。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 横向 pin 二极管 制备 方法 器件 集成 隐身 天线 | ||
【主权项】：
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