[发明专利]晶片的加工方法在审
申请号: | 202110177865.5 | 申请日: | 2021-02-09 |
公开(公告)号: | CN113284796A | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
发明(设计)人: | 中村胜 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;H01L21/78 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 乔婉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供晶片的加工方法,不使生产性恶化而形成分割起点并将与TEG相关的电路信息破坏。将在由局部形成有测试用金属图案的交叉的多条分割预定线划分的正面的各区域中分别形成有器件的晶片分割为各个器件芯片的方法包含:第一改质层形成工序,将对于晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于第一深度而照射激光光线,沿着分割预定线形成第一改质层;和第二改质层形成工序,将该激光光线的聚光点定位于比第一深度浅的第二深度而照射激光光线,沿着同一分割预定线形成第二改质层。在第二改质层形成工序中,使激光光线的聚光点与第一改质层局部重叠而定位,以便使后照射的激光光线在第一改质层处散射而将测试用金属图案的电路信息破坏。 | ||
搜索关键词: | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造