[发明专利]晶片的加工方法在审

专利信息
申请号: 202110177865.5 申请日: 2021-02-09
公开(公告)号: CN113284796A 公开(公告)日: 2021-08-20
发明(设计)人: 中村胜 申请(专利权)人: 株式会社迪思科
主分类号: H01L21/268 分类号: H01L21/268;H01L21/78
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 乔婉;于靖帅
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供晶片的加工方法,不使生产性恶化而形成分割起点并将与TEG相关的电路信息破坏。将在由局部形成有测试用金属图案的交叉的多条分割预定线划分的正面的各区域中分别形成有器件的晶片分割为各个器件芯片的方法包含:第一改质层形成工序,将对于晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于第一深度而照射激光光线,沿着分割预定线形成第一改质层;和第二改质层形成工序,将该激光光线的聚光点定位于比第一深度浅的第二深度而照射激光光线,沿着同一分割预定线形成第二改质层。在第二改质层形成工序中,使激光光线的聚光点与第一改质层局部重叠而定位,以便使后照射的激光光线在第一改质层处散射而将测试用金属图案的电路信息破坏。
搜索关键词: 晶片 加工 方法
【主权项】:
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