[发明专利]半导体光元件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110178391.6 | 申请日： | 2021-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN113253385A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 藤原直树;八木英树;平谷拓生;菊地健彦;新田俊之 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/136 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 熊传芳;苏卉 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供能够提高增益区域和波导路耦合的耦合效率的半导体光元件及其制造方法。半导体光元件的制造方法具备以下工序：在具有波导路的SOI基板上接合半导体芯片，上述半导体芯片包括依次层叠的第一包覆层、芯层及第二包覆层，且具有光学增益；在上述第二包覆层的一部分上形成第一绝缘膜；将上述第二包覆层中的从上述第一绝缘膜露出的部分蚀刻至厚度方向的中途；形成第二绝缘膜，上述第二绝缘膜从上述第二包覆层中的被上述第一绝缘膜覆盖的部分覆盖至上述第二包覆层的残存部分的一部分；及通过对上述第二包覆层中的从上述第二绝缘膜露出的部分及上述芯层进行蚀刻，形成位于上述波导路上且沿着上述波导路的延伸方向前端尖细的第一锥形部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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