[发明专利]集成电路图案化的方法在审
| 申请号： | 202110178492.3 | 申请日： | 2021-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN113471073A | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 黄净惠;邱雅文;谭伦光 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例公开了一种集成电路图案化的方法包括：形成抗蚀剂图案，该抗蚀剂图案具有沿着第一方向纵向定向并且由抗蚀剂壁沿着第一方向和垂直于第一方向的第二方向两者分离的沟槽。该方法还包括：将抗蚀剂图案装载到离子注入机中，从而使抗蚀剂图案的顶面面向离子传播方向；以及将抗蚀剂图案倾斜，从而使离子传播方向相对于垂直于抗蚀剂图案的顶面的轴线形成倾斜角。该方法还包括：将抗蚀剂图案围绕轴线旋转到第一位置；在抗蚀剂图案处于第一位置的情况下将离子注入到抗蚀剂壁中；将抗蚀剂图案围绕轴线旋转180度到第二位置；以及在抗蚀剂图案处于第二位置的情况下将离子注入到抗蚀剂壁中。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 图案 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
