[发明专利]光掩模组装件及其形成方法在审
| 申请号： | 202110179259.7 | 申请日： | 2021-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN113946095A | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 李国豪;许希丞;翁睿均;潘汉宗;陈信宇;张佑诚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/62 | 分类号： | G03F1/62;G03F1/64;G03F1/48 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种光掩模组装件及其形成方法，所述方法包括：可在光掩模组装件的衬底的背侧上形成一个或多个盖层之前去除衬底的背侧上的缓冲层的一部分。可直接在衬底的从衬底去除缓冲层的背侧上形成一个或多个盖层，且可直接在一个或多个盖层上形成硬掩模层。一个或多个盖层可包含低应力材料以促进一个或多个盖层与衬底之间的粘着，且减少和/或最小化盖层从衬底的剥落和分层。这可降低损坏光掩模组装件的表膜层和/或其它组件的可能性，和/或可增加其中使用光掩模组装件的曝光工艺的产率。 | ||
| 搜索关键词： | 模组 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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